high k metal gate原理
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構,其中每層材料的厚度極薄,通常都在1-2nm以下,因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在...
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2007年7月31日—k值越高,電晶體之電容值也越高,使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。同時一種相容於High-k介電質之上的金屬閘極(MetalGate),Intel於2003年提出 ...
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